发明名称 |
一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法 |
摘要 |
本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,包括如下步骤:S1:提供一六角氮化硼衬底;S2:在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层,并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形;S3:在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层;S4:剥离所述掩膜层及其表面的金属层;S5:对所述六角氮化硼衬底进行退火,然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层,在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。本发明不仅可以控制六角氮化硼图形化的形状,大小,还可以选择刻蚀区域,同时可以通过反复刻蚀,控制刻蚀台阶的高度,解决了基于六角氮化硼薄膜器件的图形化加工难题。 |
申请公布号 |
CN104992905A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510307155.4 |
申请日期 |
2015.06.05 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
王浩敏;谢红;贺立;王慧山;陈令修;李蕾;吴天如;张道礼;谢晓明;江绵恒 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:提供一六角氮化硼衬底;S2:在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层,并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形;S3:在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层;S4:剥离所述掩膜层及其表面的金属层;S5:对所述六角氮化硼衬底进行退火,然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层,在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |