| 发明名称 | 形成与器件衬底耦合的埋藏的微电机结构的方法以及由此形成的结构 | ||
| 摘要 | 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104995130A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201480008678.2 | 申请日期 | 2014.03.13 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·巴斯卡兰 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种形成结构的方法，包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在所述第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及将设置于所述第一衬底上的所述第一接合层耦合到第二衬底以形成集成的MEMS结构，其中，利用层转移工艺来实现所述耦合。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||