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发明名称 - e-Fuse structure of Semiconductor Device
摘要 <p>반도체 장치의 이-퓨즈 구조체가 제공된다. 이 구조체는 애노드 및 캐소드를 연결하는 퓨즈부 및 퓨즈부에 접하는 절연막을 포함한다. 절연막은 전자적-이동 및 열적-이동에 의한 퓨즈부를 구성하는 원자들의 이동 효과에 보강적으로 작용하는 스트레스를 퓨즈부에 인가하도록 구성된다.</p>
申请公布号 KR101561650(B1) 申请公布日期 2015.10.21
申请号 KR20090019272 申请日期 2009.03.06
申请人 发明人
分类号 H01L21/82;H01L23/62 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人
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