发明名称 低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管和显示装置
摘要 本发明实施例公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管和显示装置,涉及显示器领域,可以提高低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸及均匀性,并能充分利用入射激光的能量,有利于降低低温多晶硅薄膜的生产成本,提高了低温多晶硅薄膜晶体管的性能。低温多晶硅薄膜的制备方法包括:在基板上沉积非晶硅薄膜;在非晶硅薄膜上覆盖光学增透薄膜;对光学增透薄膜进行光刻,使光学增透薄膜表面具有阵列排布的聚光结构;对覆盖有光学增透薄膜的非晶硅薄膜进行激光照射,使所述非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜;用低温多晶硅薄膜构建薄膜晶体管,并将其用于显示装置。
申请公布号 CN103489788B 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201310455936.9 申请日期 2013.09.29
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 王磊;田雪雁;任章淳
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,包括:在基板上沉积非晶硅薄膜;在所述非晶硅薄膜上覆盖光学增透薄膜;对所述光学增透薄膜进行光刻,使得所述光学增透薄膜表面具有阵列排布的聚光结构;对覆盖有所述光学增透薄膜的非晶硅薄膜进行激光照射,使得所述非晶硅薄膜转化为所述低温多晶硅薄膜。
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