发明名称 调整奈米线结构之方法
摘要
申请公布号 TWI504557 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW102141612 申请日期 2013.11.15
申请人 格罗方德半导体公司 发明人 利考西 尼古拉斯V;华 杰瑞米迈
分类号 B82B3/00;B82Y40/00 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种形成装置的方去,包括:形成具有初始截面尺寸的初始奈米线结构;进行掺杂扩散程序,以在该初始奈米线结构中形成N型掺杂区;以及进行蚀刻程序,以移除该掺杂区之至少一部分,并且藉以界定具有最终截面尺寸的最终奈米线结构,其中,该最终截面尺寸小于该初始截面尺寸。
地址 美国