发明名称 动态随机存取记忆体安全抹除
摘要
申请公布号 TWI505271 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW101131959 申请日期 2012.08.31
申请人 泰斯拉公司 发明人 派瑞斯 麦可
分类号 G11C11/4072;G11C11/4096 主分类号 G11C11/4072
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种抹除储存在一动态随机存取记忆体(DRAM)阵列中之资料之方法,其包括:(a)将该DRAM阵列之一字线设定为一主动状态,藉此使电荷根据储存在耦合至该字线及各自位元线之记忆体单元中之该资料在该等记忆体单元之间流动,其中根据耦合至该字线及该等各自位元线之该等记忆体单元之间之电荷流动在该等各自位元线上生成信号;(b)当连接至该等各自位元线之预充电装置及感测放大器维持在其中该等感测放大器并未将该等信号放大至可储存信号位准之闲置状态中时,将该字线设定为一闲置状态使得耦合至该字线之该等记忆体单元中保留的电荷不充足,藉此抹除储存在耦合至该字线之该等记忆体单元中之该资料;及(c)使用该记忆体阵列之一选定范围之剩余数目个字线之各者来重复步骤(a)及(b)以抹除储存在该选定范围中之该资料。
地址 美国