| 主权项 |
一种半导体装置，包括：像素部份，包含形成于基底上的第一电晶体；以及驱动电路，包含在该基底上的第二电晶体，其中，该第一电晶体包含：第一闸极电极层，在该基底上；闸极绝缘层，在该第一闸极电极层上；第一源极电极层以及第一汲极电极层，在该闸极绝缘层上；第一氧化物半导体层，在部份该第一源极电极层和部份该第一汲极电极层以及该闸极绝缘层上且与部份该第一源极电极层和部份该第一汲极电极层以及该闸极绝缘层相接触，该第一氧化物半导体层具有周围部份，该周围部份的厚度小于该周围部份以外的部份之厚度；氧化物绝缘层，在该第一氧化物半导体层上且与该第一氧化物半导体层接触；以及像素电极层，在该氧化物绝缘层上，其中，该第二电晶体包含：第二闸极电极层，在该基底上；该闸极绝缘层，在该第二闸极电极层上；第二氧化物半导体层，在该闸极绝缘层上；第二源极电极层以及第二汲极电极层，在该第二氧化物半导体层上；以及该氧化物绝缘层在该第二源极电极层和该第二汲
极电极层上并与部份该第二氧化物半导体层接触，其中，该第一闸极电极层、该闸极绝缘层、该第一氧化物半导体层、该第一源极电极层、该第一汲极电极层、该氧化物绝缘层及该像素电极层之每一者具有透光特性，以及其中，该第二源极电极层及该第二汲极电极层之材料不同于该第一源极电极层及该第一汲极电极层之材料。
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