| 发明名称 |
Production of single-crytal semiconductor material using a nanostructure template |
| 摘要 |
<p>단결정 반도체 물질 제조방법: 템플릿 물질을 제공하는 단계; 상기 템플릿 물질의 상부에 마스크를 제조하는 단계; 상기 마스크를 사용하여 상기 템플릿 물질에 다수의 나노 컬럼를 형성하는 단계; 및 상기 나노 컬럼 위에 단결정 반도체 물질을 성장시키는 단계를 포함한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR101562064(B1) |
申请公布日期 |
2015.10.20 |
| 申请号 |
KR20087028018 |
申请日期 |
2008.01.17 |
| 申请人 |
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发明人 |
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| 分类号 |
B82B1/00;C30B25/04;C30B25/18;C30B29/16;C30B29/36 |
主分类号 |
B82B1/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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