| 摘要 |
본 개시는 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고 제2 반도체층, 활성층 및 제1 반도체층의 일부가 메사 식각되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되는 제1 전극;으로서, 제1 반도체층과 접촉하는 접촉층, 메사 식각되어 노출된 활성층과 대면하여 빛을 반사하도록 접촉층 위에 형성된 반사층 및 반사층 위에 형성된 터짐 방지층을 구비하는 제1 전극;을 포함하며, 반사층은 터짐 방지층보다 높은 반사율과, 500A 이상의 두께를 가지며, 터짐 방지층은 반사층의 열팽창 계수보다 작은 열팽창 계수를 가져서 전원 인가시 반사층의 터짐을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다. |
