半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明旨在提供一种半导体装置，包含为提高源极－汲极间之耐压，而埋入半导体基板之分离绝缘膜之LDMOS电晶体中，藉由防止因电场集中导致元件特性变动，提升半导体装置之可靠度。 其中，于LDMOS电晶体PD1之分离绝缘膜SIS之上表面形成沟槽HL，藉此，将闸极电极GE之一部分埋入沟槽HL内。藉此，防止于分离绝缘膜SIS之源极侧之端部附近之半导体基板SB内电场集中。