半导体装置及其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

摘要

本揭露提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置包括基板，以及源极区域与汲极区域，形成于基板中。此半导体装置亦包括不纯物扩散停止层，形成于基板之凹口中且介于源极区域与汲极区域之间，其中不纯物扩散停止层覆盖凹口之底部及侧壁。此半导体装置亦包括通道层，形成于不纯物扩散停止层之上与凹口之中；以及闸极堆叠，形成于通道层之上。不纯物扩散停止层实质上避免基板之源极与汲极的不纯物扩散进入通道层。