通过矽磊晶提升性能;PERFORMANCE BOOST BY SILICON EPITAXY

摘要

本揭示为有关于产生电晶体元件的方法，电晶体元件具有磊晶层设置于凹陷主动区上，磊晶层改善电晶体元件的效能。在一些实施例中，藉由提供半导体基底实施此方法，实施磊晶成长以形成磊晶层于半导体基底上。电性绝缘层接着形成于磊晶层上，且闸极结构形成于电性绝缘层上。藉由形成磊晶层于半导体基底上，改善半导体基底的表面粗糙度，藉此改善电晶体元件的效能。