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<p>실리콘 함유 기판을 포함하는 반도체 디바이스를 형성하는 방법이 제공된다. 하나의 예시적 방법은, 상기 실리콘 함유 기판 위에 놓이는 폴리실리콘 층을 증착하는 단계와, 상기 폴리실리콘 층을 비정질화하는 단계와, 상기 비정질화된 폴리실리콘 층을 에칭하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 위에 놓이는 스트레스 유발 층을 증착하는 단계와, 상기 실리콘 함유 기판을 어닐링하여 상기 게이트 전극을 재결정화하는 단계와, 상기 스트레스 유발 층을 제거하는 단계와, 상기 게이트 전극을 에칭 마스크로서 사용하여 상기 기판에 리세스들을 에칭하는 단계와, 그리고 상기 리세스들에, 불순물 도핑된 실리콘 함유 영역들을 에피택셜 성장시키는 단계를 포함한다.</p> |
