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<p>본 발명의 한 측면은, 연마 패드로 구리 상호연결 금속을 포함한 패턴화된 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 방법을 제공하는 것으로, 이 방법은 1) 벤조트리아졸(BTA) 억제제, 구리 착물화 화합물 및 물을 포함하는 수성 연마 용액을 제공하는 단계; 2) 구리를 Cu이온으로 용해시키는 방식에 따라, 수성 연마 용액과 연마 패드에 의해 패턴화된 웨이퍼를 연마하는 단계로서, 수용액이 착물화 화합물을 포함하지 않은 경우, Cu이온과 BTA 억제제는 [BTA]×[Cu]이 Cu-BTA 침전물의 용해도곱(Ksp)보다 큰 농도를 갖는 단계; 및 3) 연마로 Cu-BTA 침전물이 침전되는 것을 방지하기 위해, 적어도 Cu이온의 일부를 산화시키는 단계를 포함한다.</p> |
