电晶体;TRANSISTORS

摘要

一些实施例包含在一第一半导体材料上具有一第二半导体材料之一构造。归因于该第一及该第二半导体材料之不同晶格特性，该第二导体材料接近该第一半导体材料之一区域具有应变。一电晶体闸极向下延伸至该第二半导体材料中。闸极介电材料系沿着该电晶体闸极之侧壁及一底部。源极/汲极区域系沿着该电晶体闸极之该等侧壁，且该闸极介电材料系介于该等源极/汲极区域与该电晶体闸极之间。一通道区域在该等源极/汲极区域之间延伸且处于该电晶体闸极之该底部下方。该通道区域之至少一些处于该应变区域内。