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发明名称
形成半导体装置之方法;METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
一种通孔或柱体结及一种形成之方法。在一个实施方式中,聚合物层形成具有多个开口以暴露出部分所覆盖之导电垫。导电层形成于聚合物层上,填充这些开口。晶粒上覆盖有模塑材料且执行平坦化程序以在开口中形成多个柱体。在另一实施方式中,柱体形成然后聚合物层形成在柱体上。晶粒上覆盖模塑材料,并进行平坦化程序以暴露柱体。在又一实施方式中,柱体形成而模制型材料是直接形成于柱体上。执行平坦化程序以暴露这些柱体。又另一个实施方式中,凸块形成且模塑材料直接形成在凸块上。执行平坦化程序以暴露凸块。
申请公布号
TW201539589
申请公布日期
2015.10.16
申请号
TW103144587
申请日期
2014.12.19
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人
何明哲 HO, MINGCHE;吴逸文 WU, YIWEN;黄见翎 HWANG, CHIENLING;郭宏瑞 KUO, HUNGJUI;刘重希 LIU, CHUNGSHI
分类号
H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/488(2006.01)
主分类号
H01L21/56(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财李世章
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW
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