发明名称 形成半导体装置之方法;METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 一种通孔或柱体结及一种形成之方法。在一个实施方式中,聚合物层形成具有多个开口以暴露出部分所覆盖之导电垫。导电层形成于聚合物层上,填充这些开口。晶粒上覆盖有模塑材料且执行平坦化程序以在开口中形成多个柱体。在另一实施方式中,柱体形成然后聚合物层形成在柱体上。晶粒上覆盖模塑材料,并进行平坦化程序以暴露柱体。在又一实施方式中,柱体形成而模制型材料是直接形成于柱体上。执行平坦化程序以暴露这些柱体。又另一个实施方式中,凸块形成且模塑材料直接形成在凸块上。执行平坦化程序以暴露凸块。
申请公布号 TW201539589 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW103144587 申请日期 2014.12.19
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 何明哲 HO, MINGCHE;吴逸文 WU, YIWEN;黄见翎 HWANG, CHIENLING;郭宏瑞 KUO, HUNGJUI;刘重希 LIU, CHUNGSHI
分类号 H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/488(2006.01) 主分类号 H01L21/56(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财李世章
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW