发明名称 基板处理装置及使用基板处理装置之基板处理方法;SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD USING SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
摘要 本发明之基板处理装置系具备处理部、第1槽、第2槽、第3槽及处理液喷嘴。并行地进行由第1槽对处理部供给磷酸水溶液之供给动作、及由处理部对第2槽或第3槽的液回收。藉由供给动作,由第1槽对处理液喷嘴供给磷酸水溶液。藉由回收动作,由处理部将磷酸水溶液回收至第2槽或第3槽。又,藉由矽浓度调整,调整第3槽或第2槽内之矽浓度。矽浓度调整完成后,将经调整之处理液经由第1槽供给至处理部。藉由对处理部供给磷酸水溶液,在由旋转夹具所保持之基板上供给磷酸水溶液,于基板上形成液膜。藉加热装置对基板上之液膜进行加热。加热装置系具有在石英玻璃制之壳体内设有第1至第4灯加热器的构成。使由第1至第4灯加热器所产生之红外线穿透壳体底部并照射至基板上之磷酸水溶液。底部系由第1板状构件与设于第1板状构件下方之第2板状构件所构成。于第1板状构件与第2板状构件之间的气体通路供给氮气。于气体通路流通之氮气系由排出开口朝基板外周部之外方被排出。
申请公布号 TW201539570 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104108056 申请日期 2015.03.13
申请人 斯克林集团公司 SCREEN HOLDINGS CO., LTD. 发明人 日野出大辉 HINODE, TAIKI;太田乔 OTA, TAKASHI;西东和英 SAITO, KAZUHIDE;山田邦夫 YAMADA, KUNIO
分类号 H01L21/306(2006.01);H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣宿希成
主权项
地址 日本 JP