半导体装置及其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMATION THEREOF

摘要

一种半导体装置及其形成方法被提供。半导体装置包括第一材料，第一材料包括浅沟隔离结构相邻于鳍片。浅沟隔离结构是实质上均匀的，使得浅沟隔离结构之上表面具有少许甚至没有缺陷，以及具有少许甚至没有凹面。为了形成浅沟隔离结构，布植掺质至第一材料中，而形成蚀刻停止层，利用蚀刻而非化学机械平坦化降低第一材料的高度。与化学机械平坦化相比，蚀刻使第一材料得到较佳的均匀性。相较于包括并非实质上均匀的浅沟隔离结构之装置，实质上均匀的浅沟隔离结构包括介于相邻鳍片之间的较佳电流阻障性。