电阻式随机存取记忆体及其制造方法;RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME,申请号TW103112331-传众专利搜索

发明名称	电阻式随机存取记忆体及其制造方法;RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要	一种电阻式随机存取记忆体，包括第一电极层、第二电极层以及设置在该第一电极层和该第二电极层之间的可变电阻层，其中该第二电极层包括第一子层、第二子层和设置在该第一子层和该第二子层之间的导电性金属氮氧化物层。
申请公布号	TW201539814	申请公布日期	2015.10.16
申请号	TW103112331	申请日期	2014.04.02
申请人	华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP.	发明人	何家骅 HO, CHIA HUA;张硕哲 CHANG, SHUO CHE;廖修汉 LIAO, HSIU HAN;许博砚 HSU, PO YEN;林孟弘 LIN, MENG HENG;吴伯伦 WU, BO LUN;沈鼎瀛 SHEN, TING YING
分类号	H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01)	主分类号	H01L45/00(2006.01)
代理机构		代理人	叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址	台中市大雅区科雅一路8号 TW