| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
一种半导体装置，包括：在绝缘表面上之包括结晶区域的氧化物半导体层；与该氧化物半导体层接触的源极电极层和汲极电极层；覆盖该氧化物半导体层、该源极电极层、和该汲极电极层的闸极绝缘层；以及在该闸极绝缘层上与该结晶区域重叠的区域中之闸极电极层。该结晶区域包括c轴对准于实质垂直于该氧化物半导体层的表面之方向的晶体。 |
| 申请公布号 |
TW201539765 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW104122142 |
申请日期 |
2010.12.01 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
