金属氧化物半导体场效电晶体结构及其制造方法;MOSFET STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREOF

摘要

提供一种金属氧化物半导体场效电晶体结构之制造方法。在此方法中，形成一磊晶层。在磊晶层上方形成一盖层。在磊晶层上方形成一第一沟槽。在第一沟槽内沉积一保护层。此保护层的材料择自于由锗及矽锗所组成的群组。