发明名称 |
具有减少之传导路径区域之电阻式记忆体单元;RESISTIVE MEMORY CELL HAVING A REDUCED CONDUCTIVE PATH AREA |
摘要 |
本发明揭示一种形成一电阻式记忆体单元(例如一导电桥接随机存取记忆体(CBRAM)或电阻式随机存取记忆体(ReRAM))之方法,其可包含:形成一底部电极层;形成该底部电极之一暴露区域之一氧化区域;移除接近于该氧化区域之该底部电极层之一区域以形成具有一尖端或尖锐边缘区域之一底部电极层;及使第一电解质区域及第二电解质区域及第一顶部电极及第二顶部电极形成于该底部电极上以界定不同之第一记忆体元件及第二记忆体元件。该第一记忆体元件界定自该底部电极尖端区域之第一部分经由该第一电解质区域而至该第一顶部电极之一第一传导纤丝/空位链路径,且该第二记忆体元件界定自该底部电极尖端区域之第二部分经由该第二电解质区域而至该第二顶部电极之一第二传导纤丝/空位链路径。 |
申请公布号 |
TW201539732 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
申请号 |
TW104105897 |
申请日期 |
2015.02.24 |
申请人 |
微晶片科技公司 MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED |
发明人 |
菲思特 保罗 FEST, PAUL;沃尔斯 詹姆士 WALLS, JAMES |
分类号 |
H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |