单一多晶矽层非挥发性记忆体的阵列结构;ARRAY STRUCTURE OF SINGLE-PLOY NONVOLATILE MEMORY

摘要

一种单一多晶矽层非挥发性记忆之阵列结构，包括：一第一多次程式区块、一第二多次程式区块与一第一一次程式区块。第一多次程式区块连接至一第一字元线、一第一源极线、一第一抹除线与复数条位元线；一第二多次程式区块连接至一第二字元线、一第二源极线，其中该第二多次程式区块与该第一多次程式区块分享该第一抹除线与该些位元线；以及一第一一次程式区块连接至一第三字元线，其中该第一一次程式区块与该第一多次程式区块分享该第一源极线与该些位元线。