| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME |
| 摘要 |
本发明之半导体装置具备：P通道DMOS电晶体，其具备N型闸极电极；P通道MOS电晶体，其具备P型闸极电极；及N通道MOS电晶体，其具备N型闸极电极。较理想的是，P通道DMOS电晶体之N型闸极电极具有：第1端部，其位于P通道DMOS电晶体之源极侧；及第2端部，其位于P通道DMOS电晶体之汲极侧；且于第1端部具有P型扩散层。 |
| 申请公布号 |
TW201539713 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW104110756 |
申请日期 |
2015.04.01 |
| 申请人 |
精工爱普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION |
发明人 |
新田博明 NITTA, HIROAKI;赤沼英幸 AKANUMA, HIDEYUKI;桑泽和伸 KUWAZAWA, KAZUNOBU |
| 分类号 |
H01L27/06(2006.01);H01L21/8234(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
