发明名称 沟槽隔离结构的制造方法;METHOD FOR FORMING TRENCH ISOLATION STRUCTURE
摘要 本发明提供一种沟槽的填充方法。在一基板上形成一罩幕图案层,其内具有一开口。蚀刻基板以在开口下方的基板中形成一沟槽。对罩幕图案层实施一第一后撤制程,以扩大开口之口径。以一第一介电材料部分填充沟槽,其中沟槽中的第一介电材料之上具有一凹口。对罩幕图案层实施一第二后撤制程,以再次扩大开口之口径。对第一介电材料实施一回蚀刻制程,以扩大凹口之口径及深度。以及在凹口中填入一第二介电材料,以完全填满沟槽。
申请公布号 TW201539649 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW103112447 申请日期 2014.04.03
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 刘士豪 LIU, SHIN HAO;廖志成 LIAO, CHIH CHERNG;魏云洲 WEI, YUN CHOU;许静宜 HSU, CHING YI;陈明晖 CHEN, MING HUI;赵士宗 CHAO, SHIH TZSUNG;许先耀 HSU, HSIEN YAO
分类号 H01L21/76(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹县新竹科学工业园区园区三路123号 TW