发明名称 半导体装置
摘要 提供一种具备可一边抑制热电阻增加一边缓和热应力之双极性电晶体之半导体装置。;在具备双极性电晶体BT之半导体装置,柱凸块20与电气连接于射极层5之第2配线14接触之第3开口16,从与射极层5之正上方对应之位置往射极层5之长边方向错开,第3开口16相对于射极层5系配置成射极层5之长边方向之端部与第3开口16之开口端大致一致。
申请公布号 TW201539579 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104100348 申请日期 2015.01.07
申请人 村田制作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 梅本康成 UMEMOTO, YASUNARI;德田大辅 TOKUDA, DAISUKE;西明恒和 SAIMEI, TSUNEKAZU;德矢浩章 TOKUYA, HIROAKI
分类号 H01L21/3205(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) 主分类号 H01L21/3205(2006.01)
代理机构 代理人 阎启泰林景郁
主权项
地址 日本 JP