发明名称 记忆体装置及其资料写入方法;MEMORY DEVICE AND DATA WRITING METHOD
摘要 一种记忆体装置,包含:第一及第二电晶体、电容性元件及资料线。第一电晶体具有临界电压值,并包含第一电晶体第一端、第二端及第三端。电容性元件包含第一及第二电容端。第二电晶体包含第二电晶体第一端、第二端及第三端。其中第一电晶体第一端耦接于第一电容端及第二电晶体第二端。第一电晶体第二端接收第一电晶体第二端电压值。第一电晶体第三端接收第一电晶体第三端电压值。第二电晶体第一端耦接于资料线。第二电晶体第三端接收第二电晶体控制讯号。第一电晶体导通与关闭以将资料线维持在资料线电压值。
申请公布号 TW201539447 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW103145753 申请日期 2014.12.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 范凯 FAN, KAI;许国原 HSU, KUOYUAN;王兵 WANG, BING;林松杰 LIN, SUNGCHIEH
分类号 G11C11/419(2006.01);G11C7/12(2006.01) 主分类号 G11C11/419(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财李世章
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW