发明名称 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录媒体
摘要 本发明的课题是在于缩短淋浴头内的气体置换所要的时间。其解决手段系于使用基板处理装置的半导体装置的制造方法中,具备气体导入工程,其系一面往前述淋浴头内导入处理气体,一面将前述导入后的处理气体从前述气体喷出口往前述处理室内喷出,且从前述气体排气口往前述排气部排出,该基板处理装置系具备:处理室,其系处理基板;淋浴头,其系往前述处理室内供给处理气体;及排气部,其系将前述处理室内的处理气体排出,前述淋浴头系具备:气体导入口,其系往前述淋浴头内导入处理气体;气体喷出口,其系将前述淋浴头内的处理气体朝前述处理室内喷出;及气体排气口,其系将前述淋浴头内的处理气体往前述排气部排出。
申请公布号 TW201539623 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104106668 申请日期 2015.03.03
申请人 日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 佐佐木史 SASAKI, TAKAFUMI;漆原美香 URUSHIHARA, MIKA;山口天和 YAMAGUCHI, TAKATOMO
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP