切晶膜、切晶黏晶膜及半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种利用即使在低温下之扩展亦能引发半导体晶圆、或黏晶膜之断裂之切晶膜，及具备其之切晶黏晶膜及使用该等膜之半导体装置的制造方法。一种切晶膜，其系具备基材及设置于该基材上之黏着剂层者，且将由于MD方向及TD方向各自以0℃下负荷延伸应力时之应力-应变曲线求出的MD方向之储存弹性模数设为E'MD1、TD方向之储存弹性模数设为E'TD1之情形时，E'MD1/E'TD1为0.75以上且1.25以下。