发明名称 成膜方法及热处理装置
摘要 本发明系一种成膜方法,其系于处理容器内之处理室中之基板上形成低介电常数膜者,该成膜方法中:于处理容器内的、设置于处理室之上方之电浆生成室中,至少供给稀有气体,使用微波而生成电浆;经由遮蔽部,自电浆生成室对处理室供给粒子,对该处理室供给前驱物气体,从而于基板上形成低介电常数膜,该遮蔽部系设置于电浆生成室与处理室之间、具有使该电浆生成室与该处理室连通之复数个开口、并且对紫外线具有遮蔽性;其后,对该基板进行加热处理。
申请公布号 TW201539575 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104101368 申请日期 2015.01.15
申请人 东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 菊地良幸 KIKUCHI, YOSHIYUKI;神原康明 SAKAKIBARA, YASUAKI;寒川诚二 SAMUKAWA, SEIJI
分类号 H01L21/31(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/316(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP;