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发明名称
成膜方法及热处理装置
摘要
本发明系一种成膜方法,其系于处理容器内之处理室中之基板上形成低介电常数膜者,该成膜方法中:于处理容器内的、设置于处理室之上方之电浆生成室中,至少供给稀有气体,使用微波而生成电浆;经由遮蔽部,自电浆生成室对处理室供给粒子,对该处理室供给前驱物气体,从而于基板上形成低介电常数膜,该遮蔽部系设置于电浆生成室与处理室之间、具有使该电浆生成室与该处理室连通之复数个开口、并且对紫外线具有遮蔽性;其后,对该基板进行加热处理。
申请公布号
TW201539575
申请公布日期
2015.10.16
申请号
TW104101368
申请日期
2015.01.15
申请人
东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人
菊地良幸 KIKUCHI, YOSHIYUKI;神原康明 SAKAKIBARA, YASUAKI;寒川诚二 SAMUKAWA, SEIJI
分类号
H01L21/31(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/316(2006.01)
主分类号
H01L21/31(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本 JP;
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