半导体装置与其形成方法;SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

半导体装置与其形成方法提供如下。半导体装置包含第一金属线路，其具有介于约30nm至约60nm之间的第一金属线路宽度，以及第一金属线路长度。第二金属线路具有介于约10nm至约20nm之间的第二金属线路宽度，以及第二金属线路长度。第一金属线路长度与第二金属线路长度不同。介电层位于第一金属线路与第二金属线路之间。位于第一金属线路与第二金属线路之间的介电层，具有介于约10nm至约20nm之间的介电层宽度。半导体装置之形成方法可使金属线路具有小尺寸，且不同的金属线路具有不同尺寸。