与光敏化化学放大光阻化学品及程序一起使用的方法及技术;METHODS AND TECHNIQUES TO USE WITH PHOTOSENSITIZED CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST CHEMICALS AND PROCESSES

摘要

本揭露内容描述利用光敏化化学放大光阻化学品（PS-CAR）以图案化半导体基板上光敏感薄膜的方法。在一实施例中，一个两步骤的曝光过程在光阻层中可产生具有较高酸浓度的区域。光敏化化学放大光阻化学品包括光酸产生剂（PAGs）及可加强PAG分解成酸的光敏剂成分。第一次曝光可为图案化的EUV曝光，该过程可产生初始量的酸及光敏剂。第二次曝光为非EUV的整片曝光，该过程在光敏剂所在的基板上，可激发能增加酸生成速率的光敏剂。曝光过程中能量的分布可利用光阻层、底层及/或覆盖层的某些特性（例如：厚度、折射率、掺杂）以最佳化。