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发明名称
透明导电膜之修复、再生方法及透明导电积层体
摘要
本发明提供一种于透明导电膜存在一定范围之全长之膜不良之情形时,使膜不良部不可视化而将透明导电膜修复、再生的方法。又,本发明提供一种具备藉由该方法而被修复、再生之透明导电膜的透明导电积层体。;本发明系关于一种透明导电膜之修复、再生方法,其特征在于:其包括于透明导电膜上之凹部积层透明树脂层之步骤,透明导电膜系涂布含有导电材料之透明导电膜形成用组成物而形成,配置于基材之至少一个面上,凹部系选自由起因于基材形状之凹陷、存在于透明导电膜中之损伤或缺陷、去除存在于透明导电膜之异物而形成之凹陷、及对存在于透明导电膜之缺陷加压而形成之凹陷所组成之群中的至少1种,凹部之全长为10~300μm。
申请公布号
TW201539486
申请公布日期
2015.10.16
申请号
TW104106574
申请日期
2015.03.03
申请人
长濑化成股份有限公司 NAGASE CHEMTEX CORPORATION
发明人
大堀达也 OHORI, TATSUYA;久留岛康功 KURUSHIMA, YASUNORI;常田义真 TSUNEDA, YOSHIMASA
分类号
H01B5/00(2006.01);H01B1/02(2006.01);H01B1/08(2006.01);H01B1/12(2006.01)
主分类号
H01B5/00(2006.01)
代理机构
代理人
阎启泰林景郁
主权项
地址
日本 JP
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