一次编程记忆体及其相关记忆胞结构;ONE TIME PROGRAMMING MEMORY AND ASSOCIATED MEMORY CELL STRUCTURE

摘要

一次编程记忆体，包括一第一记忆胞与一第二记忆胞。其中，第一记忆胞中包括一第一储存电晶体，第二记忆胞中包括一第二储存电晶体。第一储存电晶体中的闸极结构与第二储存电晶体中的闸极结构之间的距离很短，并且其间隙壁彼此重叠。如此，可以制造出高容量的一次编程记忆体。