第三族氮化物奈米线电晶体;GROUP III-N NANOWIRE TRANSISTORS

摘要

第三族氮化物奈米线系设置在基板上。奈米线之纵向长度被定义为第一第三族氮化物材料之通道区、与该通道区之第一端电性耦合之源极区、及与该通道区之第二端电性耦合之汲极区。在该第一第三族氮化物材料上之第二第三族氮化物材料作为一电荷诱导层、及/或奈米线之表面上的阻障层。闸极绝缘体及/或闸极导体完全地同轴环绕在该通道区内的该奈米线。汲极及源极接触可相同地完全地同轴环绕该汲极及源极区。