发明名称 - Low-Stain Polishing Composition
摘要 본 발명은 구리 상호연결 금속을 포함하는 패턴화된 반도체 웨이퍼의 화학적 기계적 연마에 유용한 수성 조성물에 관한 것이다. 수성 조성물은 산화제, 구리 상호연결 금속용 억제제, 수용성 변형 셀룰로오스 0.001 내지 15중량 퍼센트, 비-사카라이드계 수용성 중합체, 구리 상호연결 금속용 착물화제 0 내지 15중량 퍼센트, 인 화합물 0 내지 15중량 퍼센트, 구리 이온과 착물화할 수 있는 산 화합물 0.05 내지 20중량 퍼센트 및 물을 포함하고, 용액은 산성 pH를 갖는다.
申请公布号 KR101560647(B1) 申请公布日期 2015.10.16
申请号 KR20090014258 申请日期 2009.02.20
申请人 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 发明人 토마스 테렌스 엠.;왕훙위
分类号 C09K3/14 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人
主权项
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