非挥发性记忆体装置;NONVOLATILE MEMORY DEVICE

摘要

根据一项实施例，复数个第一布线沿着彼此相交之一第一方向及一第二方向配置且沿垂直于该等第一及第二方向之一第三方向延伸。复数个第二布线沿该第二方向延伸且沿着该等第一布线之该第三方向以预定间隔提供。N通道场效应电晶体提供于该等第一布线之端部处。记忆体胞元放置于该等第一布线与该等第二布线之相交点处。该等记忆体胞元由一可变电阻层形成，该可变电阻层之第一布线侧之电阻率较大且第二布线侧之电阻率较小。