发明名称 钴前驱物;COBALT PRECURSORS
摘要 兹描述可应用到气相沉积钴至基板上的钴前驱物,例如用于原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)制程来形成内连线、覆盖结构和大块钴导体,以制造积体电路和薄膜产品。
申请公布号 TW201538511 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104105890 申请日期 2015.02.24
申请人 安特格利斯公司 ENTEGRIS, INC. 发明人 包姆汤玛士H BAUM, THOMAS H.;贝托尔史考特L BATTLE, SCOTT L.;克里瑞约翰M CLEARY, JOHN M.;彼得斯大卫W PETERS, DAVID W.;陈菲利普S H CHEN, PHILIP S. H.
分类号 C07F15/06(2006.01);C01G51/00(2006.01);C23C16/06(2006.01);C23C16/455(2006.01);C23C16/448(2006.01) 主分类号 C07F15/06(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财李世章
主权项
地址 美国 US