半导体发光元件及其制造方法

摘要

以实现比先前更提升光取出效率的半导体发光元件及其制造方法为目的。本发明之半导体发光元件的制造方法，系具有：准备基板的工程(a)、于基板上，依序形成第一半导体层、活性层及第二半导体层的工程(b)、于第二半导体层的上面，形成构成反射电极之第一导电层的工程(c)、在工程(c)之后，不进行退火工程，于第一导电层的上面，以7nm以下的膜厚来蒸镀构成第一保护层之第二导电层的工程(d)、及在工程(d)之后，进行退火的工程(e)。