半导体积体电路(IC)及其制造方法;SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT WITH NANO GAP

摘要

一种半导体积体电路(IC)的制造方法被揭露。具有一介电层位于其之上的一基板被提供。一嵌段共聚合物(BCP)层被沈积于介电层之上。此嵌段共聚合物(BCP)层接着被退火以形成一复数个第一聚合物奈米结构，其被位于介电层之上的一复数个第二聚合物奈米结构围绕。利用第一聚合物奈米结构做为一蚀刻罩幕对第二聚合物奈米结构进行选择性蚀刻，以形成一奈米块(nano-block)。利用奈米块做为一蚀刻罩幕对介电层进行选择性蚀刻，以形成一奈米沟槽(nano-trench)。奈米沟槽被密封以形成一奈米气隙(nano-air-gap)。