３Ｄ结构半导体应用之利用图案化自组装单层的选择性原子层沉积制程;SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS UTILIZING PATTERNED SELF ASSEMBLED MONOLAYERS FOR 3D STRUCTURE SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

摘要

兹提供利用选择性沉积制程形成鳍片结构的方法，且预定材料形成在鳍片结构的不同位置，用以三维(3D)堆叠半导体晶片用鳍式场效电晶体(FinFET)。在一实施例中，形成具预定材料的结构至基板上的方法包括形成图案化自组装单层至形成于基板上的结构周边，其中图案化自组装单层包括处理层形成在自组装单层之中，及进行原子层沉积制程，以主要在图案化自组装单层的自组装单层上形成材料层。