在半导体装置内形成图案的方法;METHOD FOR FORMING PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本揭露提供一种在半导体装置内形成图案的方法。根据某些实施例，该方法包括提供一基底、基底上的一图案化目标层以及图案化目标层上的一硬式罩幕层。在硬式罩幕层内形成一第一图案。自硬式罩幕层内的第一图案去除一修整部分，以形成一经修整的第一图案。在硬式罩幕层上形成一第一阻剂层。在第一阻剂层内形成一主要图案。使用主要图案及经修整的第一图案作为一蚀刻遮罩元件来蚀刻图案化目标层，以在图案化目标层内形成一最终图案。在某些实施例中，最终图案包括主要图案减去主要图案与经修整的第一图案之间的一第一重叠部分。; forming a first pattern in the hard mask layer; removing a trim portion from the first pattern in the hard mask layer to form a trimmed first pattern; forming a first resist layer over the hard mask layer; forming a main pattern in the first resist layer; and etching the patterning-target layer using the main pattern and the trimmed first pattern as etching mask elements to form a final pattern in the patterning-target layer. In some embodiments, the final pattern includes the main pattern subtracting a first overlapping portion between the main pattern and the trimmed first pattern.