| 发明名称 |
氧化物烧结体、溅镀用靶及使用其而得之氧化物半导体薄膜 |
| 摘要 |
提供一种于藉由溅镀法制成氧化物半导体薄膜之情形时，可获得低载子浓度、高载子迁移率之氧化物烧结体及使用其之溅镀用靶。;该氧化物烧结体以氧化物之形式含有铟及镓，含有氮，不含有锌。镓之含量以Ga/(In+Ga)原子数比计为0.005以上，未达0.20，实质上不含有GaN相。又，较佳不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅镀用靶而形成之结晶质氧化物半导体薄膜可获得1.0×10 18 cm -3 以下之载子浓度及10cm 2 V -1 sec -1 以上之载子迁移率。 |
| 申请公布号 |
TW201538432 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW104107884 |
申请日期 |
2015.03.12 |
| 申请人 |
住友金属矿山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. |
发明人 |
中山徳行 NAKAYAMA, TOKUYUKI;西村英一郎 NISHIMURA, EIICHIRO;井藁正史 IWARA, MASASHI |
| 分类号 |
C01G15/00(2006.01);C04B35/01(2006.01);C04B35/64(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/58(2006.01);H01L21/363(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
C01G15/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰林景郁 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
