| 发明名称 |
电阻式随机存取记忆体及其制造方法;RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME |
| 摘要 |
一种电阻式随机存取记忆体，包括第一电极层、第二电极层以及位于该第一电极层与该第二电极层之间的堆叠结构。该堆叠结构包括成分为HfOx的导电层与成分为HfOy的可变电阻层，其中x<y，且氧离子在该导电层中的扩散速率低于其在金属中的扩散速率。; y. Additionally, an oxygen ion diffuses faster in the conductive layer than it does in a metal material. |
| 申请公布号 |
TW201539729 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW103112328 |
申请日期 |
2014.04.02 |
| 申请人 |
华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. |
发明人 |
张硕哲 CHANG, SHUO CHE;何家骅 HO, CHIA HUA |
| 分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗詹东颖刘亚君 |
| 主权项 |
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| 地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 TW |
