包含穿隧场效电晶体之积体电路及其制造方法

摘要

本发明之目的在于减少电性连接2个穿隧场效电晶体之电路形成所必要之面积及成本，且亦减少寄生电容/寄生电阻。;本发明之包含穿隧场效电晶体之积体电路的特征在于：第1P型区域及第1N型区域之一者作为源极区域动作、另一者作为汲极区域动作之第1穿隧场效电晶体，与第2P型区域及第2N型区域之一者作为源极区域动作、另一者作为汲极区域动作之第2穿隧场效电晶体系以同一极性形成于一个活性区域，且以上述第1P型区域与上述第2N型区域邻接之方式形成，邻接之上述第1P型区域与上述第2N型区域系藉由金属半导体合金膜而电性连接。