记忆胞单元及其制造方法;MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

一种记忆胞单元，其包括基底、两个第一导电型掺杂区、一第二导电型掺杂区、两个堆叠结构以及第一隔离结构。所述第一导电型掺杂区分别配置于所述基底中。所述第二导电型掺杂区配置于所述两个第一导电型掺杂区之间的所述基底中。所述堆叠结构配置于所述基底上，分别覆盖所对应的第一导电型掺杂区以及部分的所述第二导电型掺杂区。所述堆叠结构的每一者包括电荷储存层。所述第一隔离结构完全覆盖并接触所述第一导电型掺杂区的底面以及所述第二导电型掺杂区的底面。