基板处理装置及基板处理方法;SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

摘要

本发明的基板处理装置(1)系具备有：具有上部开口(222)的腔本体(22)、具有下部开口(232)的腔盖部(23)、以及在腔盖部(23)之盖内部空间(231)内所配置的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)之径向的大小系较大于下部开口(232)之径向的大小。藉由腔盖部(23)而腔本体(22)的上部开口(222)被加以覆盖，藉此形成在内部收纳有基板(9)的腔(21)。在基板处理装置(1)中，在基板(9)被搬入且形成腔(21)之前，在遮蔽板(51)为重叠于下部开口(232)的状态下，从气体供给部(812)所被供给的气体被填充至腔盖部(23)的盖内部空间(231)。藉此，能够在腔(21)形成之后，被使腔(21)内迅速地充满气体，而成为所需的低氧环境。