半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

摘要

一半导体装置包括一电晶体，具有一源/汲极区域。一导电接触，设置于上述源/汲极区域上方。一矽化物元件，设置于上述导电接触下方，其中上述矽化物元件具有一非棱角剖面轮廓。在一些实施例中，上述矽化物元件具有一近似圆角剖面轮廓，例如为一椭圆形轮廓。至少一部分藉由利用一布植制程于上述源/汲极区域中形成一非晶态区域来形成上述矽化物元件。上述布植制程可为一低温布植制程。