包括凹入式存取装置之半导体装置及其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A RECESSED ACCESS DEVICE AND METHODS OF FORMING SAME

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括一凹入式存取装置，该凹入式存取装置包含一第一支柱、一第二支柱、连接该第一支柱及该第二支柱之一通道区域及安置在该通道区域上方之一闸极。该通道区域具有窄于该第一支柱及该第二支柱之宽度之一宽度。凹入式存取装置之一阵列包括自一基板突出之复数个支柱以及复数个通道区域。各通道区域具有小于约10nm之一宽度且耦合相邻支柱，以形成复数个无接面凹入式存取装置。一种形成至少一凹入式存取装置之方法亦包括：在一基板上方形成支柱；形成与该等支柱耦合之至少一通道区域，该通道区域具有一相对较窄宽度；及形成在至少三侧上至少部分包围该通道区域之一闸极。