发明名称 具有T型电极的半导体结构;SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING T-SHAPED ELECTRODES
摘要 具有T型电极的半导体结构。电极具有顶部位及从顶部位延伸到基板的表面之较窄的柄部位。固态介电层具有与电极的柄之下部位的侧壁并置且毗连之侧部位。顶部位的底表面系藉由诸如空气等的非固态介电质与上表面部位隔开。
申请公布号 TW201539557 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104103234 申请日期 2015.01.30
申请人 雷森公司 RAYTHEON COMPANY 发明人 黄 丘卓 HWANG, KIUCHUL;萧 戴尔 SHAW, DALE M.;威廉斯 亚卓安 WILLIAMS, ADRIAN D.
分类号 H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L21/28(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国 US